韓媒傳出，三星電子（Samsung Electronics Co.）支援次世代高頻寬記憶體「HBM4」的 4 奈米邏輯晶粒（logic die）測試良率已超過 40%。 繼續閱讀..
三星追趕 SK 海力士、傳 4 奈米邏輯晶粒良率逾 4 成 |
作者
MoneyDJ|發布日期
2025 年 04 月 17 日 16:00 |
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Tag Archives: dram
SK 海力士第六代 10 奈米等級 1c 製程良率達八成，即將量產 |
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作者
Atkinson|發布日期
2025 年 04 月 09 日 15:00 |
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韓國媒體 Hankooki 報導，記憶體大廠 SK 海力士第六代 10 奈米等級 1c 製程 DRAM 良率達 80%，較 2024 下半年 60% 明顯提升，如期進入量產。
下游客戶庫存去化有成，激勵 2Q25 DRAM 價格跌幅收斂 |
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作者
TechNews|發布日期
2025 年 03 月 25 日 14:10 |
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TrendForce 最新調查，美國對多國祭出新關稅政策，2025 年第一季下游品牌廠大都以提前出貨因應，此舉有助供應鏈中記憶體的庫存去化。展望第二季，一般型 DRAM 價格跌幅將收斂至季減 0~5%，若納入 HBM，受惠 HBM3e 12hi 逐漸放量，均價為季增 3%~8%。
自駕車推動低功耗記憶體需求，調研：2027 年 HBM4 將用於自駕車 |
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作者
林 妤柔|發布日期
2025 年 03 月 07 日 16:15 |
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調研機構 Counterpoint 指出，隨著半導體技術持續創新，記憶體解決方案成為推動生成式 AI（GenAI）發展的核心動力，雖然 DRAM 解決方案具優勢，但成本與上市時程仍是關鍵挑戰。為降低創新風險，客戶需積極參與承諾採購，而製造商則須尋求降低成本的策略，如 LPDDR、PIM（Processing-In-Memory）、Wide I/O、GDDR 與 HBM，以適用不同應用場景。 繼續閱讀..
